Frank Rohmund, director general de Zeiss, ha afirmado que existe una diferencia de 15 años entre las ópticas utilizadas para fotolitografía de su empresa y las más avanzadas de China. Este comentario surge en un contexto donde Huawei presume tener un prototipo funcional de una máquina de ultravioleta extremo (UVE) en Shenzhen, aunque aún no produce circuitos integrados operativos. Huawei está liderando un proyecto que involucra a varias instituciones, entre ellas el Instituto de Tecnología de Harbin y el Instituto de Óptica de Changchún, además de Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE) y SiCarrier, una empresa respaldada por el Gobierno de Shenzhen. El objetivo de China es producir chips utilizando esta tecnología para 2028, aunque muchos analistas creen que 2030 sea una fecha más realista.
Rohmund emitió su pronóstico en la conferencia SEMICON en Taiwán, una plataforma importante en la industria de semiconductores. Su intención puede haber sido destacar las capacidades de Zeiss, especialmente considerando que las ópticas más avanzadas que produce han sido incorporadas en los equipos UVE de ASML. Sin embargo, se debe considerar que la máquina UVE en pruebas en China puede no requerir los mismos niveles de sofisticación óptica.
Los sistemas de fotolitografía UVE requieren componentes de alta precisión. La transferencia de luz UVE de 13,5 nm desde el emisor hasta la máscara es crítica, y las ópticas de Zeiss juegan un papel fundamental en este proceso. La falta de precisión en los espejos podría alterar el patrón de la máscara, resultando en chips defectuosos. A la hora de decidir la longitud de onda, había varias opciones, y después de evaluar las limitaciones de materiales, se optó por los 13,5 nm, que utilizan molibdeno y silicio en los espejos, elementos que no presentan problemas.
Esta elección resalta la elevada precisión necesaria en la fabricación de espejos. Zeiss utiliza iones de argón para pulir los espejos a nivel atómico y emplea técnicas de análisis subnanométrico para detectar y corregir defectos, alcanzando un nivel de precisión menor a un nanómetro. Esto subraya la complejidad y la delicadeza involucradas en la producción de tecnología de fotolitografía avanzada.