ChangXin Memory Technologies (CXMT), el mayor fabricante chino de circuitos integrados DRAM, está experimentando un notable crecimiento en un contexto de escasez de componentes impulsada por la demanda de centros de datos para inteligencia artificial. Con un aumento del 1.688% en su beneficio neto en un solo trimestre y la firma de un contrato con Tencent valorado en aproximadamente 2.750 millones de dólares, CXMT ha capturado el 7,67% del mercado global, posicionándose como el cuarto mayor fabricante del mundo y el primero en China. Esta expansión también se traduce en un incremento casi cinco veces en su capacidad productiva de chips DRAM en los últimos cuatro años.
Sin embargo, para mantener este crecimiento es crucial que CXMT siga innovando en tecnología de circuitos de memoria. La compañía ha hecho avances significativos al desarrollar una nueva arquitectura de transistores que busca aumentar la densidad de almacenamiento en sus módulos DRAM. Se prevé que esta tecnología esté implementada en sus servidores antes de finales de 2026.
La clave de esta innovación radica en la reducción del tamaño de las celdas de memoria de un diseño convencional de 6F² a 4F². Esta transformación permitiría a CXMT integrar más unidades de almacenamiento en el mismo chip, aumentando así la capacidad de sus productos. La notación “F” se refiere a medidas fundamentales en la fabricación, lo que implica que una reducción en el área de las celdas podría optimizar la producción.
Además, CXMT está incorporando transistores VSG (Vertical Surrounding Gate) que permiten controlar mejor el flujo de corriente, lo cual es esencial para minimizar las fugas de corriente, un problema relevante conforme aumenta la densidad de los circuitos. La empresa aún debe demostrar que su tecnología puede operar de manera óptima y a gran escala, incluyendo la capacidad de producción con buenos rendimientos antes de que finalice el año.